IRFH5210TRPBF

1. ลดการสูญเสียการนำไฟฟ้า
2.เปิดใช้งานการกระจายความร้อนที่ดีขึ้น
3. เพิ่มความน่าเชื่อถือ
4.เพิ่มความหนาแน่นของพลังงาน
5. ความเข้ากันได้ของผู้ขายหลายราย
6. การผลิตที่ง่ายขึ้น
7. เป็นมิตรกับสิ่งแวดล้อม
8. ความน่าเชื่อถือที่เพิ่มขึ้น

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IRFH9310TRPBF
ผู้ผลิต/BrandInternational Rectifier (Infineon Technologies)
ส่วนหนึ่งของรายละเอียด:MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
สถานะปลอดสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: ไร้สารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
สภาพสต็อก: ต้นฉบับใหม่ มีสต็อก 12000 ชิ้น
ส่งจาก:ฮ่องกง
วิธีจัดส่ง: DHL/Fedex/TNT/UPS
แอตทริบิวต์ของผลิตภัณฑ์ แอตทริบิวต์ ค่า เลือกแอตทริบิวต์
หมายเลขชิ้นส่วน IRFH9310TRPBF
ผู้ผลิต/ยี่ห้อ International Rectifier (Infineon Technologies)
จำนวนสต็อก 12000 pcs Stock
หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์อุปกรณ์กึ่งตัวนำแบบแยกส่วน > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - Single
รายละเอียด MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
สถานะไร้สารตะกั่ว / สถานะ RoHS: ไร้สารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ความกว้าง - ภายใน -55°C ~ 150°C (TJ)
แรงดัน/กระแส - เอาต์พุต 1 PQFN (5x6)
ความคลาดเคลื่อน 5250pF @ 15V
ประเภทหาง P-Channel
Step Angle MOSFET (โลหะออกไซด์)
การหดตัวของอุณหภูมิ Infineon Technologies
SFP/XFP ชนิด ±20V
ความสามารถระยะไกล HEXFET®
พิทช์ - ตัวยึดพื้นผิวสายเคเบิล
ชื่ออื่น ๆ ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ชื่ออื่นๆ 1
ออสซิลเลเตอร์ Type 8-PowerVDFN
จำนวน DAC 30V
ความถ่วงจำเพาะของของเหลวขั้นต่ำ -
การวางแนวการผสมพันธุ์ 4.6 mOhm @ 21A, 10V
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต IRFH9310TRPBFDKR-ND
ความยาว - Barrel Digi-Reel®
หลอดไฟสี 4.5V, 10V
แรงดันด้านสูง - สูงสุด (Bootstrap) 21A (Ta), 40A (Tc)
ฟังก์ชั่น 58nC @ 4.5V
คอยล์เพาเวอร์แอคทีฟ
ความจุช่องสัญญาณ (CS(ปิด), CD(ปิด)) 3.1W (Ta)
การ์ดรีดเดอร์ ชนิด 2.4V @ 100µA
คุณสมบัติและคุณประโยชน์
คุณสมบัติที่ก่อให้เกิดประโยชน์
RDSon ต่ำ (≤ 4.6mΩ) การสูญเสียการนำไฟฟ้าต่ำ
แพ็คเกจ PQFN ตามมาตรฐานอุตสาหกรรม ความเข้ากันได้ของผู้ค้าหลายราย
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS ไม่มีสารตะกั่ว ไม่มีโบรไมด์ และไม่มีฮาโลเจน เป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อม
ส่งผลให้
บันทึก
ปริมาณแบบฟอร์ม
IRFH9310TRPBF PQFN 5มม. x 6มม. เทปและรีล 4000
หมายเลขชิ้นส่วนที่สั่งซื้อได้ ประเภทบรรจุภัณฑ์ ชุดมาตรฐาน
วีดีเอส -30 โวลต์
RDS (เปิด) สูงสุด
(@VGS = 10V) 4.6 mΩ
Qg (ทั่วไป) 110 nC
RG (ทั่วไป) 2.8 Ω
ID
(@TA = 25°C) -21 ก
คะแนนสูงสุดแน่นอน
หน่วยพารามิเตอร์
VDS Drain-to-Source แรงดัน
VGS เกท-ทู-ซอร์ส โวลเตจ
ID @ TA = กระแสเดรนต่อเนื่อง 25°C, VGS @ -10V
ID @ TA = กระแสเดรนต่อเนื่อง 70°C, VGS @ -10V
ID @ TC = 25°C กระแสเดรนต่อเนื่อง, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 70°C กระแสเดรนต่อเนื่อง, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 25°C กระแสเดรนต่อเนื่อง, VGS @ -10V (จำกัดแพ็คเกจ)
IDM กระแสเดรนแบบพัลซิ่ง
PD @TA = การกระจายพลังงาน 25°C
PD @ TA = การกระจายพลังงาน 70°C
ค่า Derating Factor เชิงเส้น W/°C
ที.เจ.สนธิกำลังและ
ช่วงอุณหภูมิการจัดเก็บ TSTG
คะแนนซ้ำ;ความกว้างของพัลส์ถูกจำกัดโดยค่าสูงสุดอุณหภูมิทางแยก
เริ่มต้น TJ = 25°C, L = 1.1mH, RG = 50Ω, IAS = -17A
ความกว้างของพัลส์ ≤ 400µs;รอบการทำงาน ≤ 2%
เมื่อติดบนกระดานทองแดงสี่เหลี่ยมขนาด 1 นิ้ว
Rθ วัดที่ TJ ประมาณ 90°C
สำหรับ DESIGN AID เท่านั้น ไม่อยู่ภายใต้การทดสอบการผลิต